昨日万先生提问了关于多型相变控制技术是什么？下面一起来认识一下：

碳化硅常见多型包括4H、6H、15R。15R与4H、15R与6H是晶格失配，易产生裂纹。但是，生长中包括两类问题：4H晶体生长，易出现6H、15R杂相；6H晶体生长，易出现15R杂相。

可能的机理分析：(0001)面的平面区过大，成的SiC层容易采用不同于上一层的堆叠方式，造成c方向堆叠的不延续，出现随机性。降低平面区大小，形成更多的台阶，这样至少短期内是没有新层出现，或者说减少新层同时出现的区域。

可能的应对方法：方案1.调节气氛。氮气气氛能够构筑更多的台阶；方案2.籽晶处理。（001）晶面偏4°生长。同样用于层错控制技术。

其实，这里叫做多型相变控制技术，其实是从结果出发的。

技术点有两个方向：一是关注可控的事物，一是关注结果。改变可控的事物，这就是技术；而技术展现后，实现结果。这里，也可以拆解为两个技术：气氛类型控制技术，以及籽晶方向控制技术。一般，实现一个结果需要多种技术的综合；但是，可能一个技术实现了多种需要的结果。

比如，籽晶的引入，使得Lely法升级为物理的气相输运法，开创了碳化硅单晶的工业化。不但扩大了碳化硅单晶的尺寸，也增加了碳化硅单晶的质量。