大同碳化硅制作出来的碳化硅陶瓷
我们可能不太明白什么是大同碳化硅，下面为大家介绍下，我们还可以用碳化硅制作成碳化硅陶瓷，也让我们来看下碳化硅陶瓷的制备。
碳化硅是一种人造材料，分子式为SiC，陨石及地壳上偶然存在碳化硅。碳化硅分子量为40.07，密度为3.16～3.2g/cm3。SiC具有α和β两种晶型，当温度低于1600℃时，SiC以β-SiC形式存在，当高于1600℃时，β-SiC转变为α-SiC的形式。
碳化硅以共价键为主，共价键约占88%。晶格的基本结构是互相穿插的SiC4和CSi4四面体。由于四面体堆积次序的不同形成不同的结构，至今已发现几百种变体，常见的结构如3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等。
碳化硅的化学稳定性与其氧化特性有密切关系，碳化硅本身很容易氧化，但它氧化之后形成了一层二氧化硅薄膜，氧化进程逐步被阻碍。
在空气中，碳化硅于800℃时就开始氧化，但很缓慢；随着温度升高，则氧化速度急速加快。碳化硅的氧化速率，在氧气中比在空气中快1.6倍；氧化速率的速度随着时间推移而减慢。
近年来，在高新技术领域发展起来的超细碳化硅粉体制备的方法，主要归为三种：固相法、液相法和气相法。
a 固相法主要包括以下几种：
碳热还原法、Si与C直接反应法（包括高温自蔓延合成法和机械合金化法）。
b 液相法主要包括以下几种：
溶胶—凝胶法、聚合物热分解法和溶剂热法。
c 气相法主要包括以下几种：
气相反应沉积法（CVD）、等离子体法、激光诱导气相法。
2碳化硅陶瓷的制备
碳化硅是一种典型的共价键结合的稳定化合物，加上其扩散系数低，很难用常规的烧结方法来实现致密化，必须通过添加一些烧结助剂来降低表面能或增加外界压力来达到烧结。
a.反应烧结碳化硅陶瓷
这种方法是以α-SiC和C为原料，加入适量的粘结剂进行成型和千燥处理，然后放入含有Si的埋料中。当坯体在炉内受热超过1400℃时，坯体周围的Si熔融，或以液态，或以气态透入到坯体的毛细管中，同坯体中的C反应生成SiC。产生的SiC逐渐填充坯体中的孔隙，并把原有的α-SiC连结起来，最后达到制品的致密化，并获得强度。
b.热压烧结碳化硅陶瓷
热压烧结即在烧结过程中施加一定的压力，压力的存在使原子扩散速率增大，烧结驱动力增加，从而加快烧结过程。然而，在高压条件下，烧结体中会出现垂直于压力方向定向生长的晶粒，为避免这种现象，可以选用热等静压烧结的方法。
c.无压烧结碳化硅陶瓷
碳化硅是一种人造材料，分子式为SiC，陨石及地壳上偶然存在碳化硅。碳化硅分子量为40.07，密度为3.16～3.2g/cm3。SiC具有α和β两种晶型，当温度低于1600℃时，SiC以β-SiC形式存在，当高于1600℃时，β-SiC转变为α-SiC的形式。
碳化硅以共价键为主，共价键约占88%。晶格的基本结构是互相穿插的SiC4和CSi4四面体。由于四面体堆积次序的不同形成不同的结构，至今已发现几百种变体，常见的结构如3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC等。
碳化硅的化学稳定性与其氧化特性有密切关系，碳化硅本身很容易氧化，但它氧化之后形成了一层二氧化硅薄膜，氧化进程逐步被阻碍。
在空气中，碳化硅于800℃时就开始氧化，但很缓慢；随着温度升高，则氧化速度急速加快。碳化硅的氧化速率，在氧气中比在空气中快1.6倍；氧化速率的速度随着时间推移而减慢。
纯碳化硅是无色透明的结晶，工业碳化硅有无色、淡黄色、浅绿色、深绿色、浅蓝色、深蓝色及黑色，透明程度岁颜色加深依次降低。磨料行业把碳化硅按色泽分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两类。其中无色至深绿色归入绿色碳化硅类，浅蓝色至黑色归入黑色碳化硅类。黑色和绿色这两种碳化硅机械性能略有不同，绿色碳化硅较脆，制成的磨具富于自锐性；黑碳化硅较韧，因此这两种碳化硅用途也有所不同。
二.大同碳化硅制作的碳化硅陶瓷的制备
近年来，在高新技术领域发展起来的超细碳化硅粉体制备的方法，主要归为三种：固相法、液相法和气相法。
a 固相法主要包括以下几种：
碳热还原法、Si与C直接反应法（包括高温自蔓延合成法和机械合金化法）。
b 液相法主要包括以下几种：
溶胶—凝胶法、聚合物热分解法和溶剂热法。
c 气相法主要包括以下几种：
气相反应沉积法（CVD）、等离子体法、激光诱导气相法。
2碳化硅陶瓷的制备
碳化硅是一种典型的共价键结合的稳定化合物，加上其扩散系数低，很难用常规的烧结方法来实现致密化，必须通过添加一些烧结助剂来降低表面能或增加外界压力来达到烧结。
a.反应烧结碳化硅陶瓷
这种方法是以α-SiC和C为原料，加入适量的粘结剂进行成型和千燥处理，然后放入含有Si的埋料中。当坯体在炉内受热超过1400℃时，坯体周围的Si熔融，或以液态，或以气态透入到坯体的毛细管中，同坯体中的C反应生成SiC。产生的SiC逐渐填充坯体中的孔隙，并把原有的α-SiC连结起来，最后达到制品的致密化，并获得强度。
b.热压烧结碳化硅陶瓷
热压烧结即在烧结过程中施加一定的压力，压力的存在使原子扩散速率增大，烧结驱动力增加，从而加快烧结过程。然而，在高压条件下，烧结体中会出现垂直于压力方向定向生长的晶粒，为避免这种现象，可以选用热等静压烧结的方法。
c.无压烧结碳化硅陶瓷
无压烧结被认为是SiC烧结最有前途的烧结方法，通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC部件。根据烧结机理的不同，无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。
丰镇市宏升炭素有限公司创立时便确立了"科技,创新,领先"的发展战略,秉承"质量第一,服务至上"的经营理念,经过工艺提升,品质完善,市场开拓,宏升炭素已成为晋,冀,蒙地区最大的石墨化加工企业.主营业务有山西石墨电极,石家庄石墨电极,大同碳化硅.联系电话话:04742293331
- 上一篇:走进山西石墨电极了解我们的优势
- 下一篇:炭素电极加工的工艺流程
