碳化硅晶圆你又了解多少
随著 5G、万物联网时代来临，电动车等新应用兴起，功率半导体需求也日益增温，氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC)、 等化合物半导体材料跃升成市场焦点；从上游的半导体晶圆来看，碳化硅晶圆是势头正热的新材料，不过，究竟是什麽原因，让既有厂商与新进者，争相扩产？一起和大同碳化硅了解一下吧
从化合物半导体优势说起
半导体材料历经 3 个发展阶段，一代是硅 (Si)、锗 (Ge) 等基础功能材料；二代开始进入由 2 种以上元素组成的化合物半导体材料，以砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP) 等为代表；第三代则是氮化镓 (GaN)、碳化硅 (SiC) 等宽频化合物半导体材料。
目前全球 95% 以上的半导体元件，都是以硅作为基础功能材料的硅基半导体，不过，随著电动车、5G 等新应用，对电路高频率、高功率元件需求成长，硅基半导体因受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，也让厂商开始著眼性能更优异的新材料，争相投入化合物半导体领域。
近来再度成为市场焦点的，便是第三代半导体材料氮化镓与碳化硅，其属于宽能带隙材料，具有高频、耐高电压、耐高温等优势，且导电性、散热性佳，可降低能量耗损，元件体积相对较小，适合功率半导体应用。
由于在高电压功率元件应用上，硅基元件因导通电阻过大，往往造成电能大量损耗，但硅材料遭遇瓶颈之下，氮化镓、碳化硅导通电阻远小于硅基材料，导通损失、切换损失降低，取而代之的是更高的能源转换效率，挟著高频、高压等优势，氮化镓、碳化硅崛起成为 5G 时代的半导体材料明日之星。
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