碳化硅技术的硬核玩家，英飞凌用“芯”新能源时代
大同碳化硅销售公司获悉：近日，英飞凌碳化硅应用技术发展暨光伏与储能分在春意盎然的上海收官。此次盛会高朋满座，英飞凌工业功率控制事业部的管理团队和技术专家与碳化硅产、学、研界的大咖，以及共创系统的合作伙伴齐聚一堂，共话碳化硅技术的发展前景、应用之道，并肩展望未来新能源发展趋势。
以“Cool芯英华绽放”为主题，英飞凌科技总监Peter Friedrichs围绕“英飞凌碳化硅的技术布局”发表主旨演讲，为整个大会拉开了序幕。来自英飞凌、台达电力、中国科学院电工研究所、伊顿电气、德国莱茵TÜV集团、IHS Markit的多位专家也出席了，并做了精彩报告。
在中国产业革新的浪潮下，新兴工业、能源产业迅猛发展，技术也不断更新迭代，这要求功率器件具有更加好的性能表现。而碳化硅功率器件凭借高频、高功率密度等优势，将迎来爆发期，广泛应用于各个领域。在快速充电桩、太阳能逆变器、中大功率的UPS、新能源汽车领域、轨道交通等行业，碳化硅器件的市场规模将迅速扩大，有望占据未来的科技制高点。
作为全球的半导体企业，英飞凌与时俱进、开拓创新，推出了先进的碳化硅技术和完整的解决方案，将在以下应用领域为中国企业和合作伙伴助力：
·太阳能领域：碳化硅技术可以在提率的同时，减小系统的体积和重量；
·电动汽车充电领域：可以实现高速充电，简化电路，减少损耗；
·电机领域：SiC MOSFET可以降低损耗及噪音，可望减少一半的逆变器体积及重量；
·新能源汽车领域：SiC MOSFET将成为主要的技术，将会在新能源汽车的各个部分都能得到应用。
各位专家还详细探讨了碳化硅技术的优势，深入剖析了碳化硅技术带给市场的机遇与挑战，并就碳化硅市场的现状与前景分享了自己的独到见解。
亮点一：碳化硅驾到，带给市场的是机遇还是挑战？
SiC给市场带来的机遇远远大于挑战，SiC器件具有高压、高频的优势，但是SiC领域的人士往往对SiC器件是“又爱又恨”，一方面SiC在缩小了体积同时提高了效率，一方面在SiC在应用技术方面又有很高的要求，为了把短路保护，解决噪声问题和散热问题，这几年我们在不断的提升技术。无论是器件的研发还是系统的应用，SiC仍面临着很多技术门槛，我们会在这方面与SiC元器件厂商共同努力进步。
——台达电力电子研发执行主任潘琪女士
亮点二：英飞凌在SiC领域的市场定位，SiC对英飞凌的重要性
SiC是英飞凌硅化领域中的核心产品，英飞凌在SiC产品的研发和生产方面做出了很多的努力。就生产而言，虽说在SiC原材料供应方面，晶圆的生产周期和产能是一个挑战，但是英飞凌现有的冷切割技术，推动晶圆的产能得到大幅提升应用。培养SiC技术领域人才方面，英飞凌不断扩充技术团队，希望把Si器件方面的生产能力、产能规模能延续到SiC，生产出高质量、可靠的SiC产品，进一步巩固和提升我们的市场地位：为业界提供可靠的SiC产品与服务！
英飞凌和国内的很多企业都有关于SiC的探讨，在以下行业更是有着成熟的合作：快速充电桩、太阳能逆变器、中大功率的UPS、车载电源、轨道交通。我认为SiC能在某个行业对其效率有提升，比如：提高能效方面和减少重量与体积方面，它一定会对这个领域有着作用。但是SiC器件也不是万金油，在接下来的很长一段时间，Si与SiC器件都会长期并存，共同发展。
——英飞凌科技大中华区副总裁工业功率控制事业部负责人于代辉先生
亮点三：SiC和Si是一脉相承还是相去？
可以从SiC与Si器件的原理方面进行分析，就结构来讲，Si与SiC材料之间主要的差别是他们承受的电场能力不同，彼此之间差了10倍。所以SiC的600V器件和Si的60V器件之间是可以有借鉴之处的。SiC器件现在所做的事情和Si之前所涉的技术大致相同，所以在原理方面是有借鉴之处的。
——浙江大学电气工程学院盛况
亮点四：如何实现合理的SiC定位？
SiC的问题是一直很严峻，客户永远希望越低越好。作为一个新兴技术，SiC也有新兴技术所存在的普遍问题：产量小、稳定度不够、价高。虽然大家都希望SiC技术可以普及，但是从新兴技术发展到通用技术这个过程往往是十分漫长的。IGBT，从1990年至今，一共发展了30年，走过了7代的技术，从晶圆来讲走过了4英寸、6英寸，8英寸、12英寸，从芯片的厚度从300降到了60μm，终成本降到了原先的五分之一。所以SIC技术也同样需要时间来进行技术上的打磨，从而降低成本。
——英飞凌工业功率控制事业部总监马国伟博士
亮点五：现代电力系统的特点
电力电子技术使电能在发生、输送、分配、利用及存储等环节都处于可控状态，可显著提高电能变换系统的兼容性，在现代电力系统或电网中获得了广泛应用。
——中国科学院电工研究所李子欣博士
亮点六：供电网络的变化及发展趋势
随着新半导体技术的出现，我们可能将电力电子的工作模式发生比较大的变化。通过这种变化，更利于通过不间断电源对电网和负载的各种问题做主动性的预防。
——伊顿电气研发总监郑大为先生
多年来，晶圆走过了4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的发展历程，芯片的厚度也从300μm一路超薄化为60μm，半导体技术的日新月异不仅造就了先进的碳化硅器件，还有更加满足特定行业需求的芯片，模块拓扑和封装。
为了进一步搭建行业交流的全新平台，此次碳化硅应用技术发展还设置了光伏与储能分。会上不仅有业界分析咨询公司解读光储市场的未来走向，还有认证机构详解光储产品设计规范和认证，更有英飞凌的技术专家深入浅出地为参会者介绍光伏产品解决方案，现场互动频频、惊喜不断，掀起了一场半导体业的技术交流热潮。
以“Cool芯英华绽放”为主题，英飞凌科技总监Peter Friedrichs围绕“英飞凌碳化硅的技术布局”发表主旨演讲，为整个大会拉开了序幕。来自英飞凌、台达电力、中国科学院电工研究所、伊顿电气、德国莱茵TÜV集团、IHS Markit的多位专家也出席了，并做了精彩报告。
在中国产业革新的浪潮下，新兴工业、能源产业迅猛发展，技术也不断更新迭代，这要求功率器件具有更加好的性能表现。而碳化硅功率器件凭借高频、高功率密度等优势，将迎来爆发期，广泛应用于各个领域。在快速充电桩、太阳能逆变器、中大功率的UPS、新能源汽车领域、轨道交通等行业，碳化硅器件的市场规模将迅速扩大，有望占据未来的科技制高点。
作为全球的半导体企业，英飞凌与时俱进、开拓创新，推出了先进的碳化硅技术和完整的解决方案，将在以下应用领域为中国企业和合作伙伴助力：
·太阳能领域：碳化硅技术可以在提率的同时，减小系统的体积和重量；
·电动汽车充电领域：可以实现高速充电，简化电路，减少损耗；
·电机领域：SiC MOSFET可以降低损耗及噪音，可望减少一半的逆变器体积及重量；
·新能源汽车领域：SiC MOSFET将成为主要的技术，将会在新能源汽车的各个部分都能得到应用。
各位专家还详细探讨了碳化硅技术的优势，深入剖析了碳化硅技术带给市场的机遇与挑战，并就碳化硅市场的现状与前景分享了自己的独到见解。
亮点一：碳化硅驾到，带给市场的是机遇还是挑战？
SiC给市场带来的机遇远远大于挑战，SiC器件具有高压、高频的优势，但是SiC领域的人士往往对SiC器件是“又爱又恨”，一方面SiC在缩小了体积同时提高了效率，一方面在SiC在应用技术方面又有很高的要求，为了把短路保护，解决噪声问题和散热问题，这几年我们在不断的提升技术。无论是器件的研发还是系统的应用，SiC仍面临着很多技术门槛，我们会在这方面与SiC元器件厂商共同努力进步。
——台达电力电子研发执行主任潘琪女士
亮点二：英飞凌在SiC领域的市场定位，SiC对英飞凌的重要性
SiC是英飞凌硅化领域中的核心产品，英飞凌在SiC产品的研发和生产方面做出了很多的努力。就生产而言，虽说在SiC原材料供应方面，晶圆的生产周期和产能是一个挑战，但是英飞凌现有的冷切割技术，推动晶圆的产能得到大幅提升应用。培养SiC技术领域人才方面，英飞凌不断扩充技术团队，希望把Si器件方面的生产能力、产能规模能延续到SiC，生产出高质量、可靠的SiC产品，进一步巩固和提升我们的市场地位：为业界提供可靠的SiC产品与服务！
英飞凌和国内的很多企业都有关于SiC的探讨，在以下行业更是有着成熟的合作：快速充电桩、太阳能逆变器、中大功率的UPS、车载电源、轨道交通。我认为SiC能在某个行业对其效率有提升，比如：提高能效方面和减少重量与体积方面，它一定会对这个领域有着作用。但是SiC器件也不是万金油，在接下来的很长一段时间，Si与SiC器件都会长期并存，共同发展。
——英飞凌科技大中华区副总裁工业功率控制事业部负责人于代辉先生
亮点三：SiC和Si是一脉相承还是相去？
可以从SiC与Si器件的原理方面进行分析，就结构来讲，Si与SiC材料之间主要的差别是他们承受的电场能力不同，彼此之间差了10倍。所以SiC的600V器件和Si的60V器件之间是可以有借鉴之处的。SiC器件现在所做的事情和Si之前所涉的技术大致相同，所以在原理方面是有借鉴之处的。
——浙江大学电气工程学院盛况
亮点四：如何实现合理的SiC定位？
SiC的问题是一直很严峻，客户永远希望越低越好。作为一个新兴技术，SiC也有新兴技术所存在的普遍问题：产量小、稳定度不够、价高。虽然大家都希望SiC技术可以普及，但是从新兴技术发展到通用技术这个过程往往是十分漫长的。IGBT，从1990年至今，一共发展了30年，走过了7代的技术，从晶圆来讲走过了4英寸、6英寸，8英寸、12英寸，从芯片的厚度从300降到了60μm，终成本降到了原先的五分之一。所以SIC技术也同样需要时间来进行技术上的打磨，从而降低成本。
——英飞凌工业功率控制事业部总监马国伟博士
亮点五：现代电力系统的特点
电力电子技术使电能在发生、输送、分配、利用及存储等环节都处于可控状态，可显著提高电能变换系统的兼容性，在现代电力系统或电网中获得了广泛应用。
——中国科学院电工研究所李子欣博士
亮点六：供电网络的变化及发展趋势
随着新半导体技术的出现，我们可能将电力电子的工作模式发生比较大的变化。通过这种变化，更利于通过不间断电源对电网和负载的各种问题做主动性的预防。
——伊顿电气研发总监郑大为先生
多年来，晶圆走过了4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的发展历程，芯片的厚度也从300μm一路超薄化为60μm，半导体技术的日新月异不仅造就了先进的碳化硅器件，还有更加满足特定行业需求的芯片，模块拓扑和封装。
为了进一步搭建行业交流的全新平台，此次碳化硅应用技术发展还设置了光伏与储能分。会上不仅有业界分析咨询公司解读光储市场的未来走向，还有认证机构详解光储产品设计规范和认证，更有英飞凌的技术专家深入浅出地为参会者介绍光伏产品解决方案，现场互动频频、惊喜不断，掀起了一场半导体业的技术交流热潮。
百尺竿头，更进一步。历经一载春华秋实，英飞凌碳化硅应用技术发展已在中国生根发芽，结出了累累硕果。未来，英飞凌将继续矢志创“芯”，碳化硅产业的发展，并与合作伙伴携手共筑新能源领域的美好未来。
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